制造商零件编号：VWM200-01P

制造商：IXYS

描述：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

系列：-

FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：210A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.2 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：430nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：-

安装类型：通孔

封装/外壳：V2-PAK

供应商器件封装：V2-PAK

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