技术资料
制造商零件编号:MMIX1F44N100Q3
制造商:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1000V 30A
系列:HiPerFET?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):245 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):264nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13600pF @ 25V
功率 - 最大值:694W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:24-BESOP(0.906",23.00mm 宽)21 引线,裸露焊盘
供应商器件封装:24-SMPD
我们提供IXYS全系列IC,包含MMIX1F44N100Q3官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解MMIX1F44N100Q3。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015