技术资料
制造商零件编号:MKI100-12E8
制造商:IXYS
描述:MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3
系列:-
IGBT 类型:NPT
配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):165A
功率 - 最大值:640W
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1.4mA
不同 Vce 时的输入电容 (Cies):7.4nF @ 25V
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
我们提供IXYS全系列IC,包含MKI100-12E8官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解MKI100-12E8。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015