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- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > IGBT > IGBT 模块（分立半导体），E3
- 技术参数：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
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MIEB101H1200EH 技术参数详情：
- 产品型号:MIEB101H1200EH
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > IGBT 模块（分立半导体）
- 产品描述:IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
- 产品封装:E3
- 产品系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 配置:全桥反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:183 A
- 功率 - 最大值:630 W
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，100A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:300 μA
- 不同?Vce 时输入电容 (Cies):7.43 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:E3
- 供应商器件封装:E3
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