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IXTY02N120P-IXYS
  • 制造商:IXYS
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK
  • 封装:TO-252
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IXTY02N120P

    制造商:IXYS

    描述:MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK

    系列:Polar?

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):200mA(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):75 欧姆 @ 500mA,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.7nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):104pF @ 25V

    功率 - 最大值:33W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

    供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

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