制造商零件编号：IXTY02N120P

制造商：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK

系列：Polar?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200mA（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：104pF @ 25V

功率 - 最大值：33W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

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