制造商零件编号：IXTY01N100D

制造商：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100mA（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：110 欧姆 @ 50mA，0V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：120pF @ 25V

功率 - 最大值：1.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

我们提供IXYS全系列IC，包含IXTY01N100D官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解IXTY01N100D。