制造商零件编号：IXTU02N50D

制造商：IXYS

描述：MOSFET N-CH 500V 200MA TO-251

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：500V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200mA（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 欧姆 @ 50mA，0V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：120pF @ 25V

功率 - 最大值：1.1W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：TO-251

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