图片信息
IXTT16P20 技术参数详情：
- 产品型号:IXTT16P20
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:MOSFET P-CH 200V 16A TO268
- 产品封装:TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-268AA
- 封装/外壳:TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
- 快速提供IXTT16P20专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶闸管 > SCR 模块（分立半导体）
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶闸管 > 双向可控硅（分立半导体）
隔离器 - 栅极驱动器（隔离器）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
陶瓷电容器（电容器）
D-Sub、D 形连接器 > D-Sub，D 形连接器触头
射频放大器（射频和无线）
圆形连接器 > 圆形连接器外壳（连接器，互连
保险丝（电路保护）
IXTT16P20（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台