制造商零件编号：IXTP08N50D2

制造商：IXYS

描述：MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：500V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：800mA（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.6 欧姆 @ 400mA，0V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.7nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：312pF @ 25V

功率 - 最大值：60W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

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