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技术资料
制造商零件编号:IXTP02N120P
制造商:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1200V 200MA TO-220
系列:Polar?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):200mA(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):75 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):104pF @ 25V
功率 - 最大值:33W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
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