制造商零件编号：IXTH6N100D2

制造商：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.2 欧姆 @ 3A，0V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：95nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2650pF @ 25V

功率 - 最大值：300W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247 （IXTH）

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