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IXTH12N100-IXYS
  • 制造商:IXYS
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  • 封装:TO-247
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IXTH12N100

    制造商:IXYS

    描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

    系列:MegaMOS?

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.05 欧姆 @ 6A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):170nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4000pF @ 25V

    功率 - 最大值:300W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-247-3

    供应商器件封装:TO-247 (IXTH)

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