制造商零件编号：IXTB30N100L

制造商：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 500mA，20V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：545nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13200pF @ 25V

功率 - 最大值：800W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA

供应商器件封装：PLUS264

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