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IXTB30N100L-IXYS
  • 制造商:IXYS
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
  • 封装:PLUS264
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IXTB30N100L

    制造商:IXYS

    描述:MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):450 毫欧 @ 500mA,20V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):545nC @ 20V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13200pF @ 25V

    功率 - 最大值:800W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA

    供应商器件封装:PLUS264

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