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IXTA6N50P 技术参数详情：
- 产品型号:IXTA6N50P
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:MOSFET N-CH 500V 6A TO263
- 产品封装:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 产品系列:PolarHV
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 50μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:14.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:740 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263AA
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 快速提供IXTA6N50P专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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接口 > 电信（集成电路（IC））
射频发射器（射频和无线）
嵌入式 > 应用特定微控制器（集成电路（IC）
矩形连接器 > 阵列，边缘型，夹层式（板对板
评估板 > 射频评估和开发套件，板（开发板，
射频混频器（射频和无线）
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