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技术资料
制造商零件编号:IXTA1R6N100D2
制造商:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:耗尽模式
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10 欧姆 @ 800mA,0V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):645pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:TO-263 (IXTA)
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