制造商零件编号：IXFT320N10T2

制造商：IXYS

描述：MOSFET N-CH 100V 320A TO-26

系列：GigaMOS， HiPerFET， TrenchT2

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：320A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：430nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：26000pF @ 25V

功率 - 最大值：1000W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA

供应商器件封装：TO-268

我们提供IXYS全系列IC，包含IXFT320N10T2官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解IXFT320N10T2。