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图片信息
IXFR34N80 图片
IXFR34N80
  • 制造厂家：IXYS
  • 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体），TO-247-3
  • 技术参数：MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
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IXFR34N80 技术参数详情：
  • 产品型号:IXFR34N80
  • 产品品牌:IXYS
  • 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
  • 产品描述:MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
  • 产品封装:TO-247-3
  • 产品系列:HiPerFET
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 17A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:270 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:416W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:ISOPLUS247
  • 封装/外壳:TO-247-3
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