技术资料
制造商零件编号:IXFR32N100P
制造商:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
系列:HiPerFET, PolarP2
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):340 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):225nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14200pF @ 25V
功率 - 最大值:320W
安装类型:通孔
封装/外壳:ISOPLUS247
供应商器件封装:ISOPLUS247
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