技术资料
制造商零件编号:IXFR16N120P
制造商:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
系列:HiPerFET, PolarP2
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.04 欧姆 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6900pF @ 25V
功率 - 最大值:230W
安装类型:通孔
封装/外壳:ISOPLUS247
供应商器件封装:ISOPLUS247
我们提供IXYS全系列IC,包含IXFR16N120P官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解IXFR16N120P。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015