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IXFP6N120P-IXYS
  • 制造商:IXYS
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
  • 封装:TO-220AB
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IXFP6N120P

    制造商:IXYS

    描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB

    系列:HiPerFET, PolarP2

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.4 欧姆 @ 500mA,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):92nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2830pF @ 25V

    功率 - 最大值:250W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-220-3

    供应商器件封装:TO-220AB

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