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IXFN32N80P-IXYS
  • 制造商:IXYS
  • 应用:场效应管模块
  • 规格:MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
  • 封装:SOT-227B
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IXFN32N80P

    制造商:IXYS

    描述:MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

    系列:PolarHV?

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):800V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):29A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):270 毫欧 @ 16A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):150nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8820nF @ 25V

    功率 - 最大值:625W

    安装类型:底座安装

    封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC

    供应商器件封装:SOT-227B

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