制造商零件编号：IXFN32N120P

制造商：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

系列：Polar?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：32A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：310 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：360nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：21000pF @ 25V

功率 - 最大值：1000W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

供应商器件封装：SOT-227B

我们提供IXYS全系列IC，包含IXFN32N120P官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解IXFN32N120P。