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IXFL30N120P-IXYS
  • 制造商:IXYS
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
  • 封装:ISOPLUSi5-Pak
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IXFL30N120P

    制造商:IXYS

    描述:MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK

    系列:HiPerFET, PolarP2

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):380 毫欧 @ 15A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):310nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):19000pF @ 25V

    功率 - 最大值:357W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:ISOPLUSi5-Pak

    供应商器件封装:ISOPLUSi5-Pak

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