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IXFH58N20 技术参数详情：
- 产品型号:IXFH58N20
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:MOSFET N-CH 200V 58A TO247AD
- 产品封装:TO-247-3
- 产品系列:HiPerFET
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):58A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 29A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 4mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:220 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247AD（IXFH）
- 封装/外壳:TO-247-3
- 快速提供IXFH58N20专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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