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IXFB82N60Q3-IXYS
  • 制造商:IXYS
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
  • 封装:PLUS264
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IXFB82N60Q3

    制造商:IXYS

    描述:MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264

    系列:HiPerFET?

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):600V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):82A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):75 毫欧 @ 41A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 8mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):275nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13500pF @ 25V

    功率 - 最大值:1560W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA

    供应商器件封装:PLUS264

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