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IXDI602SI 技术参数详情：
- 产品型号:IXDI602SI
- 产品品牌:IXYS Integrated Circuits Division
- 产品类目:电源管理（PMIC） > 栅极驱动器（集成电路（IC））
- 产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
- 产品封装:8-SOIC（0.154英寸，3.90mm 宽）焊盘托盘
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 可编程:未验证
- 驱动配置:低端
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:4.5V ~ 35V
- 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，3V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:7.5ns，6.5ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154英寸，3.90mm 宽）焊盘托盘
- 供应商器件封装:8-SOIC-EP
- 快速提供IXDI602SI专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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