制造商零件编号：IXBT42N170A

制造商：IXYS

描述：IGBT 1700V 42A 357W TO268

系列：BIMOSFET?

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：1700V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：42A

Current - Collector Pulsed (Icm)：265A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：6V @ 15V，21A

功率 - 最大值：357W

Switching Energy：3.43mJ （开）， 430μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：188nC

25°C 时 Td（开/关）值：19ns/200ns

Test Condition：850V， 21A， 1 欧姆， 15V

反向恢复时间 (trr)：330ns

封装/外壳：TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-268

我们提供IXYS全系列IC，包含IXBT42N170A官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解IXBT42N170A。