技术资料
制造商零件编号:IXBT42N170
制造商:IXYS
描述:IGBT 1700V 80A 360W TO268
系列:BIMOSFET?
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A
Current - Collector Pulsed (Icm):300A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.8V @ 15V,42A
功率 - 最大值:360W
Switching Energy:-
输入类型:标准
Gate Charge:188nC
25°C 时 Td(开/关)值:-
Test Condition:-
反向恢复时间 (trr):1.32μs
封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-268
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