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技术资料
制造商零件编号:GWM120-0075X1-SLSAM
制造商:IXYS
描述:MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
系列:-
FET 类型:6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):110A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.9 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):115nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:17-SMD,扁平引线
供应商器件封装:ISOPLUS-DIL
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