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GMM3X60-015X2-SMDSAM-IXYS
  • 制造商:IXYS
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD
  • 封装:ISOPLUS-DIL
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:GMM3X60-015X2-SMDSAM

    制造商:IXYS

    描述:MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD

    系列:-

    FET 类型:6 N-沟道(3 相桥)

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):150V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):24 毫欧 @ 38A, 10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):97nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5800pF @ 25V

    功率 - 最大值:-

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:ISOPLUS-DIL

    供应商器件封装:ISOPLUS-DIL

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