制造商零件编号：FMM60-02TF

制造商：IXYS

描述：MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC

系列：HiPerFET?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：33A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：90nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3700pF @ 25V

功率 - 最大值：125W

安装类型：通孔

封装/外壳：i4-Pac-5

供应商器件封装：ISOPLUS i4-PAC

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