- 制造厂家:IXYS
- 类别封装:二极管 > 整流器 > 单二极管(分立半导体),TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- 技术参数:DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AA
- 需要DSEP29-06BS的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购

DSEP29-06BS 技术参数详情:
- 产品型号:DSEP29-06BS
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:二极管 > 整流器 > 单二极管(分立半导体)
- 产品描述:DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AA
- 产品封装:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- 产品系列:HiPerFRED
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
- 电流 - 平均整流 (Io):30A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.52 V @ 30 A
- 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):30 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250 μA @ 600 V
- 不同?Vr、F 时电容:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263AA
- 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
- 快速提供DSEP29-06BS专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

更多IXYS产品:
- 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET(分
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器(集成电路(
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 接口 > 电信(集成电路(IC))
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 二极管 > 桥式整流器(分立半导体)
- 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器(集成电路(
- 射频放大器(射频和无线)
- 片式电阻器 - 表面贴装(电阻器)
- 评估板 > 嵌入式复杂逻辑器件(FPGA,CPLD)
- 电机、执行器、电磁阀和驱动器配件(电机,
- D-Sub、D 形连接器 > D-Sub 连接器组件(连

DSEP29-06BS(制造商:IXYS) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台