制造商零件编号：IRLBD59N04ETRLP

制造商：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：59A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 35A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2190pF @ 25V

功率 - 最大值：130W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-6，D2Pak（5 引线+接片），TO-263BA

供应商器件封装：TO-263-5

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