制造商零件编号：IRFHS8242TR2PBF

制造商：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.9A（Ta），21A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 8.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：653pF @ 10V

功率 - 最大值：2.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-PowerVQFN

供应商器件封装：6-PQFN（2x2）

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