技术资料
制造商零件编号:IRFHM9331TR2PBF
制造商:International Rectifier
描述:MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
系列:HEXFET
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11A(Ta),24A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10 毫欧 @ 11A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 25μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1543pF @ 25V
功率 - 最大值:2.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVQFN
供应商器件封装:PQFN(3x3)
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