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IRFH8334TR2PBF-IR
  • 制造商:IR
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
  • 封装:PQFN
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IRFH8334TR2PBF

    制造商:International Rectifier

    描述:MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN

    系列:HEXFET

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):14A(Ta),44A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9 毫欧 @ 20A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1180pF @ 10V

    功率 - 最大值:3.2W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-PowerTDFN

    供应商器件封装:PQFN(5x6)

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