制造商零件编号：IRFH8202TRPBF

制造商：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

系列：HEXFET， StrongIRFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：47A（Ta），100A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.05 毫欧 @ 50A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：110nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7174pF @ 13V

功率 - 最大值：3.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：8-PQFN（5x6）

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