制造商零件编号：IRFH5220TR2PBF

制造商：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.8A（Ta），20A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：99.9 毫欧 @ 5.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1380pF @ 50V

功率 - 最大值：3.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VQFN 裸露焊盘

供应商器件封装：PQFN（5x6）

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