制造商零件编号：IRF7907PBF

制造商：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC

系列：HEXFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.1A，11A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16.4 毫欧 @ 9.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：850pF @ 15V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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