技术资料
制造商零件编号:IRF7338TRPBF
制造商:International Rectifier
描述:MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
系列:HEXFET
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.3A,3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):34 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):640pF @ 9V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
我们提供IR全系列IC,包含IRF7338TRPBF官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解IRF7338TRPBF。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015