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IRF6711STR1PBF-IR
  • 制造商:IR
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
  • 封装:DIRECTFET
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IRF6711STR1PBF

    制造商:International Rectifier

    描述:MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ

    系列:HEXFET

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):25V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):19A(Ta),84A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 19A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1810pF @ 13V

    功率 - 最大值:2.2W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:DirectFET 等容 SQ

    供应商器件封装:DIRECTFET SQ

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