技术资料
制造商零件编号:IRF6708S2TRPBF
制造商:International Rectifier
描述:MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
系列:HEXFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.9 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1010pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DirectFET 等容 S1
供应商器件封装:DIRECTFET S1
我们提供IR全系列IC,包含IRF6708S2TRPBF官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解IRF6708S2TRPBF。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015