制造商零件编号：IRF6706S2TRPBF

制造商：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：17A（Ta），63A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.8 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1810pF @ 13V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DirectFET 等容 S1

供应商器件封装：DIRECTFET S1

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