制造商零件编号：IRF6655TRPBF

制造商：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.2A（Ta），19A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：62 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：530pF @ 25V

功率 - 最大值：2.2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DirectFET 等容 SH

供应商器件封装：DIRECTFET SH

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