制造商零件编号：IRF6644TR1

制造商：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10.3A（Ta），60A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 10.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：47nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2210pF @ 25V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DirectFET 等容 MN

供应商器件封装：DIRECTFET MN

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