技术资料
制造商零件编号:IRF6619TR1PBF
制造商:International Rectifier
描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
系列:HEXFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A(Ta),150A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.45V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):57nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5040pF @ 10V
功率 - 最大值:2.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DirectFET 等容 MX
供应商器件封装:DIRECTFET MX
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