制造商零件编号：IRF5810TRPBF

制造商：International Rectifier

描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

系列：HEXFET

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 2.9A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：650pF @ 16V

功率 - 最大值：960mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）

供应商器件封装：6-TSOP

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