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IRF3575DTRPBF-IR
  • 制造商:IR
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN
  • 封装:32-PQFN
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IRF3575DTRPBF

    制造商:International Rectifier

    描述:MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN

    系列:-

    FET 类型:2 个 N 沟道(双)

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):25V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):303A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:-

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:32-PowerWFQFN

    供应商器件封装:32-PQFN (6x6)

    我们提供IR全系列IC,包含IRF3575DTRPBF官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解IRF3575DTRPBF。

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