技术资料
制造商零件编号:AUIRF7313QTR
制造商:International Rectifier
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
系列:HEXFET
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):29 毫欧 @ 6.9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):755pF @ 25V
功率 - 最大值:2.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
我们提供IR全系列IC,包含AUIRF7313QTR官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解AUIRF7313QTR。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015