技术资料
制造商零件编号:SPU18P06P
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
系列:SIPMOS
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18.6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):130 毫欧 @ 13.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):860pF @ 25V
功率 - 最大值:80W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商器件封装:P-TO251-3
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